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SiR802DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
10
56
V GS = 10 V thr u 3 V
8
42
2 8
14
0
V GS = 2 V
6
4
2
0
T C = 125 °C
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.00 8
0.007
0.006
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
2500
2000
1500
C iss
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.005
0.004
0.003
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1000
500
0
C rss
0
14
2 8
42
56
70
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 10 A
I D = 10 A
V GS = 2.5 V
8
6
V DS = 5 V
V DS = 10 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 15 V
1.1
0.9
0.7
0
7
14
21
2 8
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65671
S10-0217-Rev. A, 25-Jan-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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